pnp是电子多还是空穴多

PNP晶体管中空穴数量明显多于电子数量。PNP结构由P型发射区、N型基区和P型集电区组成，发射区掺杂浓度最高，空穴作为多数载流子大量存在。工作时，空穴从发射区穿过基区到达集电区，形成主要电流路径。电子在基区作为少数载流子，数量远少于空穴，仅起到辅助导电作用。实际应用中，PNP管的电流放大特性完全依赖于空穴的迁移特性。

PNP晶体管的工作原理决定了空穴的主导地位。发射区注入基区的空穴数量达到电子的数百倍甚至更多。基区虽然很薄，但电子浓度极低，无法与空穴数量相提并论。集电区收集的主要是空穴电流，电子电流可以忽略不计。电路设计中，PNP管的导通特性完全由空穴的运动特性决定，这与NPN管中电子占主导地位的情况形成鲜明对比。