电子在磁场中偏半径的确定

电子在磁场中做圆周运动时，偏转半径可通过公式 r = mv/(qB) 计算。这个公式中，m 代表电子质量，v 是电子速度，q 是电子电荷量，B 是磁感应强度。实际应用中，电子显微镜利用这一原理控制电子束路径，电视机显像管通过调整磁场强度改变电子束落点，粒子加速器也依赖精确计算偏转半径来约束带电粒子运动。

偏转半径大小直接影响电子轨迹曲率。当电子能量增加 1 电子伏特，在 0.1 特斯拉磁场中，半径约增大 1.18 微米。医疗设备中的质子治疗系统利用磁场精确控制质子束到达深度，避免损伤健康组织。实验室里，科学家通过测量偏转半径反推电子速度，这种方法在材料表面分析中广泛应用，精度可达纳米级别。