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中国光刻机技术已实现28纳米工艺量产,上海微电子装备生产的SSA800/10W光刻机达到这一水平。国内企业中芯国际在北京工厂使用国产设备完成28纳米芯片制造。合肥长鑫存储运用国产光刻机生产19纳米DRAM芯片,展示技术突破。华虹半导体在无锡基地实现28纳米工艺良品率超95%,证明国产设备稳定性。
光刻机精度提升体现在多个领域。长春光机所研发的365纳米光源系统应用于医疗设备制造,精度达微米级。广东一家半导体企业使用国产光刻机生产传感器,线宽控制误差小于5纳米。武汉国家集成电路中心展示的14纳米工艺原型机,通过多重曝光技术实现精度飞跃。成都一家科技公司研发的紫外光刻系统,可在6英寸晶圆上制作10纳米结构。
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