硅的电导率一般多大

硅的电导率在纯度极高时约为10^-10西门子/米，掺杂后可提升至10^4量级。半导体工业中，磷掺杂硅的电导率可达3000西门子/米，硼掺杂硅则约为1500西门子/米。太阳能电池使用的多晶硅电导率在100-1000西门子/米范围，集成电路制造的单晶硅通过精确控制掺杂浓度，电导率可精确调至10-1000西门子/米。

硅的电导率受温度影响显著，室温下每升高10度，电导率下降约3-5倍。硅晶体的晶向也影响电导率，<111>晶向比<100>晶向高约15%。硅薄膜的电导率通常低于体硅，厚度小于100纳米时电导率下降20-40%。硅锭制备过程中，氧含量增加会导致电导率降低，每增加10^18个氧原子/立方厘米，电导率下降约50个单位。