时间:09-16人气:15作者:念之森蓝
场效应管的开启电压一般在2-4伏特之间。这个数值取决于具体型号和制造工艺。N沟道增强型MOSFET的开启电压通常在1-5伏特范围,P沟道器件则略高。功率场效应管因需要驱动较大电流,开启电压设计在3-6伏特。逻辑电路中使用的低电压场效应管开启电压可低至0.8伏特。不同厂商的产品会有差异,但大多数通用型场效应管开启电压集中在2-3伏特区间。
开启电压受温度影响显著,温度每升高10摄氏度,开启电压下降约2-5毫伏。制造工艺进步使现代场效应管开启电压不断降低,从早期的5伏特降至现在的1伏特以下。特殊应用场景中,高压场效应管开启电压可达8-10伏特,而射频应用器件则设计在0.5-1.5伏特范围。实际电路设计时需查阅具体数据手册确认精确值。
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