时间:09-15人气:24作者:少年就要狂
单晶硅是一种原子排列整齐有序的晶体结构,整个材料由单一连续的晶格构成。这种结构使得单晶硅具有高度均匀的物理特性,电子迁移率达到1500平方厘米/伏特·秒,远高于多晶硅的300平方厘米/伏特·秒。单晶硅通过直拉法或区熔法制备,形成直径可达300毫米的圆柱形锭,广泛应用于半导体芯片、太阳能电池等领域。
单晶硅具有明确的晶向和晶面,其原子间距精确到0.235纳米。这种规则排列使单晶硅在光学特性上表现出各向异性,不同晶向的折射率存在差异。单晶硅的禁带宽度为1.12电子伏特,热导率达150瓦/米·开,这些特性使其成为电子工业和光伏产业的理想材料。单晶硅的晶格缺陷密度可控制在每平方厘米0.1个以下,远低于多晶硅的每平方厘米10000个。
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