二极管中硅管的死区电压是多少

硅二极管的死区电压约为0.5至0.7伏特。这个电压值是二极管开始导通的临界点，低于此值时电流几乎为零。温度变化会影响死区电压，温度每升高1度，死区电压下降约2毫伏。在实际电路中，这个特性使硅管在0.7伏以下保持关闭状态，起到开关作用。不同制造商的硅管可能有微小差异，但大多数都在0.6伏左右。

二极管的死区电压与其材料特性直接相关。硅的禁带宽度为1.12电子伏特，这决定了其导通阈值。锗二极管死区电压仅为0.2至0.3伏，远低于硅管。硅管的高死区电压带来优势：抗干扰能力强，温度稳定性好。开关电源、整流电路和逻辑门电路都依赖这一特性。测试时，万用表显示硅管导通前电压读数会稳定在0.6-0.7伏区间。