内存是哪个国家发明的

内存技术诞生于美国，20世纪40年代由普林斯顿大学的约翰·冯·诺依曼提出存储程序概念。1947年，威廉·肖克利发明了晶体管，1959年罗伯特·诺伊斯和杰克·基尔比分别独立发明集成电路，这些突破为内存发展奠定基础。1966年，罗伯特·登纳德发明了DRAM，1968年英特尔公司成立并生产第一批商用DRAM芯片。

日本在内存领域也做出重要贡献。1970年代，日本企业如东芝和日立开始大规模生产DRAM。1980年代，日本占据全球内存市场70%份额。1984年，东芝发明了闪存技术，1987年三星推出首个64MB DRAM芯片。1990年代，韩国企业如三星和现代迅速崛起，如今韩国在全球内存市场占据主导地位，2022年三星占全球DRAM市场份额约43%。