中国光刻机达到了几纳米工艺技术

中国光刻机技术已取得显著进展，目前最先进的国产光刻机可以达到28纳米工艺水平。上海微电子装备有限公司生产的SSA800/10W DUV光刻机已能稳定生产28纳米芯片，满足中低端市场需求。华为海思、中芯国际等企业已开始使用国产设备进行28纳米芯片的量产工作。这一突破使中国成为继荷兰、日本之后第三个掌握光刻机核心技术的国家。

中国在光刻技术研发上投入大量资源，"十四五"规划中半导体设备研发获得超过2000亿元资金支持。清华大学、中科院微电子所等机构研发的EUV光刻机关键技术已取得突破，部分核心指标达到国际先进水平。2023年，中国光刻机专利申请数量全球占比达到35%，超过美国和日本。上海交通大学团队研发的"超分辨光刻装备"实现了22纳米工艺突破，为下一代光刻技术奠定基础。