时间:09-18人气:26作者:千鸟飞飞
三极管饱和时,集电极-发射极电压(Vce)降至很低值,一般在0.1-0.3伏特之间。基极-发射极电压(Vbe)维持在0.7伏特左右,硅材料三极管典型值。基极电流足够大,使集电极电流达到最大值后不再增加。此时集电极电阻上的电压降接近电源电压,三极管相当于闭合开关。温度升高时,Vce会略有下降,但变化幅度很小,通常不超过0.05伏特。
三极管进入饱和区后,集电极电流由外部电路决定,不受基极电流控制。饱和深度与基极电流大小直接相关,基极电流越大,饱和越深。开关电路中,饱和状态确保三极管完全导通,最小压降意味着最小功率损耗。快速开关应用中,三极管需要快速进入和退出饱和状态,这取决于基极驱动电路的设计。高频电路中,饱和存储时间会影响开关速度,需要特殊设计来减少这一延迟。
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