半导体中的掺杂浓度一般是多少

半导体掺杂浓度范围很广，从每立方厘米10的14次方到10的20次方不等。硅晶体管中，源漏区掺杂浓度约为10的19次方，而沟道区域约为10的17次方。发光二极管的p型掺杂浓度常在10的18次方左右，n型则更高。太阳能电池的基区掺杂浓度通常在10的16次方，发射区则达到10的19次方。高功率器件需要更精确的掺杂控制，误差必须小于5%。

掺杂浓度直接影响半导体电学特性。CMOS工艺中，阈值电压调整通过改变栅极下方的掺杂浓度实现，约10到100纳米深。DRAM电容的掺杂浓度达到10的20次方，确保足够的电荷存储能力。射频器件需要梯度掺杂，从10的16次方逐渐增加到10的19次方。功率MOSFET的漂移区掺杂浓度较低，约10的15次方，以承受高电压。量子点结构中，掺杂浓度精确控制在每立方厘米10的12次方以下。