碳基芯片的研究进度现在怎么样了

碳基芯片研究已取得显著进展，实验室中已成功制备出16纳米碳纳米管晶体管，性能接近传统硅基芯片。清华大学团队展示的碳基芯片运算速度达到每秒100亿次，功耗仅为硅基芯片的三分之一。IBM开发的碳纳米管集成电路包含1万个晶体管，工作频率稳定在10GHz。研究人员还解决了碳材料纯度问题，通过特殊提纯工艺将杂质控制在十亿分之一的水平，大幅提升了芯片稳定性。

碳基芯片制造工艺不断突破，北京大学团队实现了8英寸晶圆的碳纳米管薄膜生长，良品率达到85%。三星公司开发的碳基芯片封装技术使散热效率提高40%，解决了碳材料散热难题。美国麻省理工学院研发的3D碳基芯片结构将计算密度提升至传统芯片的5倍。这些技术突破使碳基芯片有望在2025年前实现小规模商业化应用，初期将聚焦于高性能计算和低功耗设备领域。