中国首台光刻机是多少纳米的

中国首台光刻机是上海微电子装备有限公司研发的SSA800/10W，采用365纳米深紫外光源，分辨率达到100纳米级别。这台光刻机在2007年成功研制，填补了国内高端光刻设备空白。SSA800/10W采用1倍缩小投影物镜系统，工作台重复定位精度达到纳米级，可生产90-130纳米工艺的芯片。该设备集成了精密光学、机械、控制和软件等多项先进技术，标志着中国光刻机制造的重大突破。

光刻机性能体现在光源波长、数值孔径和曝光精度三个关键指标上。365纳米光源属于深紫外波段，比193纳米光源波长更长，但技术难度相对较低。这台设备采用步进式曝光方式，每片晶圆可曝光约26个芯片，每小时处理50片晶圆。设备重量超过15吨，占地面积约30平方米，需要专业团队操作维护。中国光刻技术的进步为半导体产业发展提供了重要支撑，推动国产芯片制造能力不断提升。