晶闸管由什么材料组成

晶闸管主要由四层半导体材料组成，交替排列形成PNPN结构。这些材料包括单晶硅，作为基础半导体材料。P型半导体和N型半导体通过掺杂工艺形成，P型掺入硼、铝等三价元素，N型掺入磷、砷等五价元素。晶闸管有三个电极：阳极、阴极和控制极，控制极由铝等金属材料制成。芯片表面有二氧化硅绝缘层，防止漏电。封装材料多为陶瓷或塑料，提供机械保护和电气绝缘。

晶闸管的核心部分是硅片，厚度通常在0.3到0.4毫米之间。硅片经过精确切割和抛光处理，表面平整度达到微米级。PN结之间的扩散层深度控制在5到50微米，影响器件性能。电极连接采用金线或铝线，直径约25微米。芯片与底座之间有钼片或铜片作为过渡层，厚度约0.1毫米。整个器件工作温度范围在-40到125摄氏度之间，保证在各种环境条件下稳定运行。