亚带隙是什么

亚带隙是半导体材料中能量低于带隙的能量区域。硅的带隙约1.1电子伏特，亚带隙就是低于这个值的能量范围。这个区域对材料的光电特性有重要影响。砷化镓的带隙1.4电子伏特，其亚带隙特性决定了其在红外探测中的应用。氮化镓的带隙3.4电子伏特，亚带隙态会影响其发光效率。亚带隙能级常由缺陷或杂质形成，铜铟镓硒太阳能电池中的亚带隙态就是典型例子。

亚带隙现象直接影响电子器件的性能。二极管中的亚带隙陷阱会导致漏电流增加，影响器件可靠性。存储器单元的亚带隙电荷捕获会造成数据丢失问题。光电探测器在亚带隙区域的响应决定了其探测极限。薄膜晶体管中的亚带隙态会降低开关比，影响显示质量。亚带隙效应还决定了半导体器件的工作温度范围，高温环境下亚带隙载流子激发加剧，导致性能下降。