迁移率一般多大

迁移率在不同材料中差异显著。金属铜的电子迁移率约为35平方厘米/伏特·秒，硅半导体材料中电子迁移率可达1400平方厘米/伏特·秒，砷化镓更是高达8500平方厘米/伏特·秒。石墨烯作为二维材料，展现出惊人的200000平方厘米/伏特·秒迁移率。室温下水的离子迁移率约为8平方厘米/伏特·秒，而空气中的离子迁移率只有2平方厘米/伏特·秒左右。

材料纯度对迁移率影响巨大。超高纯度硅在低温4K条件下，迁移率可提升至10万平方厘米/伏特·秒以上。多晶硅由于晶界散射，迁移率通常不足100平方厘米/伏特·秒。有机半导体如并五苯的迁移率约为1-5平方厘米/伏特·秒，而碳纳米管阵列能达到10000平方厘米/伏特·秒。石墨烯氧化物经过还原处理后，迁移率可从1提升至1000平方厘米/伏特·秒。