半导体的导电率是多少

半导体的导电率范围很广，从10^-8到10^4西门子/米不等。纯净硅的导电率约为4.4×10^-4西门子/米，掺杂后可提高数万倍。砷化镓导电率约为10^-3西门子/米，磷化铟约为2.5×10^-4西门子/米。温度变化也会影响导电率，每升高10度，硅的导电率增加约5倍。半导体材料的导电率可通过掺杂浓度精确控制，从10^15到10^19原子/立方厘米不等。

半导体导电率还受光照影响，光敏材料在光照下导电率可提高10-100倍。氧化锌导电率约为10^-2西门子/米，碳化硅约为10^-1西门子/米。导电率还与晶体结构有关，多晶硅比单晶硅低2-3个数量级。某些有机半导体如并五苯导电率可达10西门子/米左右。半导体器件设计中，精确控制导电率是关键，直接影响电路性能和能耗。