半导体硅外延片是什么

半导体硅外延片是在单晶硅衬底上通过化学气相沉积技术生长一层高质量硅薄膜的材料。这层外延层具有完美的晶体结构，杂质含量极低，电阻率均匀可控。外延片厚度可精确控制在0.5-100微米范围内，表面粗糙度小于0.5纳米。这类材料广泛应用于制造高性能集成电路、功率器件和射频器件，能满足5G通信、人工智能和物联网等尖端技术对半导体材料的高要求。

半导体硅外延片分为n型、p型和半绝缘三种类型，掺杂浓度可精确调节在10^14到10^19原子/立方厘米之间。外延工艺温度高达1100-1200摄氏度，生长速率每小时可达1-10微米。这种材料能有效减少器件漏电流，提高击穿电压，降低噪声系数。全球外延片市场规模超过100亿美元，年增长率保持在15左右，是半导体产业链中技术壁垒最高的环节之一。