碳化硅的理化性质是什么

碳化硅硬度高达9.5莫氏，仅次于金刚石，耐高温性能突出，可在1600℃环境下保持稳定。这种材料热导率高达120-200W/(m·K)，是铜的3倍，广泛应用于高功率电子设备。碳化硅化学性质稳定，耐酸碱腐蚀，抗氧化能力强，在恶劣环境中表现出色。它的密度约3.21g/cm³，熔点约2700℃，这些数值使其成为极端环境下的理想材料。

碳化硅半导体特性优异，带隙宽度约3.2eV，击穿场强是硅的10倍，适合制造高压、高温电子器件。这种材料热膨胀系数低，约4.0×10^-6/K，与硅材料匹配良好，减少界面应力。碳化硅还具有高电子饱和漂移速度，约2×10^7cm/s，使器件开关速度快、效率高。这些特性使其在电动汽车、光伏逆变器等领域得到广泛应用。