时间:09-16人气:28作者:风烟影月
氮化镓(GaN)是第三代宽禁带半导体材料,具备高电子迁移率和高击穿电场强度特点。手机快充适配器广泛采用GaN技术,65W功率的充电器体积仅相当于传统20W充电器大小。5G基站中的射频放大器使用GaN晶体管,工作频率可达3.6GHz以上,能承受更高功率密度。电动汽车车载充电器也应用GaN,将充电效率提升至97%,同时减少30%的散热需求。
GaN半导体器件在激光领域表现突出,蓝紫色激光器输出功率达5W以上,寿命超过10000小时。固态照明设备使用GaN基LED,能效转换超过150流明/瓦,色温范围覆盖2700K至6500K。雷达系统中的GaN功率放大器,工作带宽达到8GHz,噪声系数低于2.5分贝。卫星通信地面站采用GaN功放,可在-55℃至+175℃极端温度环境下稳定工作。
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