光刻材料是什么

光刻材料是半导体制造中的关键化学品，包括光刻胶、显影液、蚀刻液等。光刻胶感光后形成保护层，阻挡不需要的蚀刻。显影液去除未曝光区域的光刻胶，留下精确图案。蚀刻液去除暴露的硅层，形成电路结构。现代光刻胶有正性和负性两种，前者曝光后溶解，后者曝光后硬化。这些材料需要极高纯度，杂质会导致芯片缺陷。1970年代，g线光刻胶使用436nm光源，如今EUV光刻胶使用13.5nm极紫外光源，技术进步显著。

光刻材料性能直接影响芯片良率。分辨率方面，10纳米工艺需要分辨率达38纳米的光刻胶。粘度控制在5-20厘泊范围内，确保均匀涂覆。烘烤温度精确控制在90-130℃之间，影响胶膜质量。现代光刻胶需承受等离子体刻蚀而不变形。2019年，三星使用7纳米工艺时，光刻材料缺陷率控制在每平方厘米0.1个以下。材料供应商如JSR、信越化学持续开发新材料，满足3纳米以下工艺需求，推动摩尔定律延续。