氮化镓的特性是什么

氮化镓(GaN)是一种宽禁带半导体材料，具有3.4电子伏特的带隙，工作温度可达600摄氏度。这种材料电子迁移率高，达到2000平方厘米/伏特·秒，比传统硅材料快20倍。氮化镓器件开关频率可达兆赫级别，能量损耗降低50%。5G基站、快充适配器、电动汽车充电器都广泛应用氮化镓技术。手机充电器使用氮化镓后，体积缩小70%，功率却提升2倍。

氮化镓材料抗压强度达到300千帕，硬度仅次于金刚石和立方氮化硼。抗辐射能力是硅的100倍，适合太空探索设备使用。氮化镓器件击穿场强高达300万伏特/厘米，是硅的10倍。雷达系统、卫星通信、高功率激光器都采用氮化镓技术。军事装备中的氮化镓雷达探测距离增加300公里，能耗降低40%。氮化镓还能承受2000伏特的高压，适合电力传输系统使用。