时间:09-18人气:12作者:酒肆饮几壶
二极管主要由硅(Si)和锗(Ge)两种半导体材料制成。硅二极管工作温度范围广,约-50℃到150℃,能承受较高电压,常见于电源电路。锗二极管正向导通电压低,约0.2-0.3伏,开关速度快,适合高频小信号应用。砷化镓(GaAs)材料用于制造特殊二极管,如激光二极管,发光波长在可见光范围。碳化硅(SiC)二极管耐高温,工作温度可达600℃,适用于高温环境电力电子设备。
二极管结构包含P型和N型半导体区域。P型区域掺入硼元素,N型区域掺入磷元素,形成PN结。金属电极连接半导体两端,铝或金材料用于欧姆接触。封装材料有塑料、玻璃或金属外壳,提供机械保护和电气绝缘。肖特基二极管使用金属-半导体结构,铂、钨等金属与N型硅接触,具有极低正向压降,约0.15-0.45伏,适合高频整流电路。
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