击穿电压与哪些因素有关

击穿电压受材料纯度直接影响。纯度越高，晶格缺陷越少，电子迁移阻力增大，击穿电压数值越高。环境温度同样影响击穿表现，温度每上升10摄氏度，硅材料击穿电压下降约5-8伏特。电极形状决定电场分布，尖锐电极会产生局部强电场，降低整体击穿电压。材料厚度增加，击穿电压线性提高，但超过临界值后会出现饱和现象。

介质材料本身的分子结构决定击穿基础值。聚乙烯击穿电压可达50千伏/毫米，而陶瓷材料仅为10-15千伏/毫米。湿度增加会导致表面吸附水分子，形成导电通道，使击穿电压下降30%-40%。气压变化对气体击穿影响显著，真空环境下击穿电压比常压高出10倍以上。电频率提高会导致介质损耗增加，击穿电压随频率升高而下降，每增加100赫兹，击穿电压降低约2-3伏特。