时间:09-17人气:12作者:騎豬去撞樹
内存主要由硅材料制成,通过半导体工艺加工成集成电路。硅片经过光刻、蚀刻等步骤形成晶体管和电容,构成存储单元。现代内存如DDR4采用多层结构,每层包含精密排列的硅晶体管。内存颗粒封装在陶瓷基板上,通过金线连接电路,确保数据稳定读写。制造过程需要超高纯度硅,纯度达到99.999999999%。
内存电路板使用FR-4玻璃纤维材料,具有良好绝缘性和机械强度。金手指部分镀金或镀金合金,提高导电性和耐腐蚀性。散热片常采用铝合金或铜合金,导热系数达到200-400 W/mK。内存颗粒与电路板间使用导电胶粘合,确保电气连接可靠。整个内存模块通过SMT工艺制造,精度控制在微米级别。
注意:本站部分文字内容、图片由网友投稿,如侵权请联系删除,联系邮箱:happy56812@qq.com