半导体中goi什么意思

GOI在半导体领域代表Gate Oxide Integrity，即栅极氧化层完整性。这项指标衡量晶体管中栅极氧化层的质量，直接影响器件的可靠性和寿命。测试方法包括TDDB（时间相关介质击穿）和CV（电容-电压）测量。GOI值越高，说明氧化层质量越好，器件抗电击穿能力越强。现代工艺中，GOI已成为衡量先进制程技术成熟度的关键参数之一。

GOI问题会导致多种失效模式，如漏电流增加、阈值电压漂移和器件早期失效。半导体制造商通过优化氧化层厚度、界面特性和工艺参数来提高GOI。高GOI值对存储器、逻辑芯片和功率器件尤为重要，这些应用需要长期稳定运行。随着晶体管尺寸不断缩小，保持高GOI面临更大挑战，成为半导体工艺开发的核心议题之一。