载流子浓度是什么决定的

载流子浓度由材料本身的性质决定。半导体材料中，掺杂元素数量直接影响载流子浓度。硅晶体中掺入磷原子后，每个磷原子贡献一个自由电子。温度变化也会改变载流子数量，室温下硅的本征载流子浓度约为10^10个/立方厘米。材料能带结构同样重要，能带宽度越小，电子跃迁概率越高，载流子浓度随之增加。材料纯度也是一个关键因素，高纯度材料中杂质少，载流子浓度主要由本征激发决定。

载流子浓度还受到外部条件影响。光照强度增加会使半导体中产生更多电子-空穴对，提高载流子浓度。电场强度改变时，载流子迁移速度变化，间接影响有效载流子数量。材料晶体结构缺陷处常形成陷阱中心，捕获载流子导致浓度下降。材料厚度也有影响，薄膜材料中表面态密度高，载流子浓度与体材料存在差异。加工工艺如退火处理能修复晶格缺陷，改变载流子浓度分布。