芯片制造需要多久

芯片制造过程需要2-3个月时间。从晶圆准备开始，光刻工艺需要20多天，蚀刻和掺杂各需10天左右。薄膜沉积工序持续15天，金属互连部分需要25天完成。光刻胶涂覆、曝光、显影等步骤重复进行10-15次。晶圆测试环节耗时7天，不合格晶圆直接淘汰。整个流程中，温度控制需精确到±0.1℃，洁净室等级达到Class 1标准。

芯片制造涉及超过1000道工序，每道工序误差必须控制在纳米级。光刻机精度达到5纳米以下，晶圆圆度偏差小于0.3微米。蚀刻深度误差控制在2纳米内，薄膜厚度均匀性达98%。晶圆厂24小时不间断运行，单条生产线年产能可达50万片。设备维护每周进行3次，每次耗时8小时。良率控制是关键环节，先进制程良率需保持在90%以上。