等离子体刻蚀是各向异性吗

等离子体刻蚀确实具有各向异性特征。这种工艺通过离子垂直轰击表面实现精确图案转移，形成陡峭侧壁结构。半导体制造中，深宽比10:1的沟槽可以轻松实现，侧壁角度偏差控制在5度以内。光刻胶掩模下的材料选择性腐蚀确保了图案清晰度，不会出现横向钻蚀现象。晶圆表面形成的纳米级结构证明其方向控制能力。

等离子体刻蚀的各向异性源于物理机制协同作用。高能离子垂直入射产生定向损伤，化学反应气体在表面形成保护层。现代设备中，离子能量与离子流量比例精确控制到3:1，确保刻蚀速率稳定。不同材料间刻蚀速率差异可达100倍以上，实现完美图形保真度。原子层刻蚀技术进一步将各向异性控制推向原子级别精度。