半导体碳化硅的工艺流程

半导体碳化硅工艺从晶体生长开始，采用物理气相传输法在高温下生长单晶锭，温度超过2000摄氏度。随后进行晶锭切割、研磨和抛光，形成薄片。接着通过光刻技术在晶圆上定义电路图案，使用等离子体刻蚀形成结构。离子注入掺杂改变导电类型，高温激活掺杂原子。最后沉积金属电极层，完成芯片制造。

碳化硅器件制造需要特殊处理设备，因为材料硬度仅次于金刚石。切割过程采用金刚石线锯，研磨使用金刚石磨料。高温退火温度可达1700摄氏度，激活掺杂原子同时修复晶格损伤。金属电极采用镍或钛铂金多层结构，确保良好欧姆接触。器件测试包括电学参数测量和可靠性验证，工作温度可达600摄氏度，远超传统硅器件。