光刻机的核心技术是什么

光刻机的核心技术包括高精度光学系统、精密机械结构和先进控制算法。光学系统使用特殊透镜组合，将电路图案精确投射到晶圆上，精度达到纳米级别。机械结构采用超稳定材料，确保设备在高速运行中保持微米级精度。控制算法实时调整曝光参数，补偿温度变化和振动影响。这些技术共同工作，确保每层电路图案完美对齐，误差控制在5纳米以内。现代光刻机还配备激光干涉仪，实时监测并校正位置偏差，保证芯片制造的一致性。

光刻机的另一核心技术是光源技术。深紫外光(DUV)和极紫外光(EUV)光源决定最小特征尺寸。EUV系统使用激光等离子体产生13.5纳米波长光线，通过反射镜多次聚焦。光源稳定性至关重要，功率波动需控制在0.1%以内。光刻胶材料技术同样关键，新型化学放大光刻胶能在特定波长下产生精确化学反应，形成精细电路图案。环境控制系统维持恒定温度和湿度，防止空气分子干扰光路，确保每次曝光结果完全一致。