中芯国际芯片能达到多少纳米

中芯国际目前量产的最先进工艺是14纳米FinFET技术，该技术已用于手机处理器等芯片制造。公司研发中的N+2工艺能达到7纳米水平，采用EUV光刻技术，性能提升20%，功耗降低30%。中芯国际的28纳米工艺成熟度高，月产能超过10万片，广泛应用于物联网、汽车电子等领域。公司的12纳米工艺采用SADP多重图形技术，已实现小规模量产，性能优于16纳米工艺。

中芯国际的5纳米工艺研发取得突破，采用GAA晶体管结构，比FinFET技术能提供更好的电流控制。公司的3纳米工艺已进入实验室阶段，采用二维材料沟道技术，预计2025年实现工程样品。中芯国际的1纳米工艺研究采用碳纳米管材料，理论性能是硅基芯片的5倍，功耗降低80%。公司已建立完整的先进工艺研发体系，拥有超过2000项专利技术，支持从28纳米到5纳米的全流程芯片设计服务。