时间:09-17人气:21作者:爱坐枫林晚
施主能级是指在半导体材料中,由掺杂元素引入的额外能级。这些能级位于导带下方,靠近导带底。磷、砷、锑等五价元素掺入硅或锗中时,多余电子占据的能级就是施主能级。室温下,这些电子很容易获得热能跃迁到导带,形成自由电子。施主浓度直接影响半导体的导电性能,每立方厘米掺入10^15个磷原子,电阻率会下降几个数量级。施主能级的存在使半导体从本征变为n型,电子成为多数载流子。
施主能级深度决定材料电学特性。砷在硅中的能级深度约0.05电子伏特,锑约0.04电子伏特,磷约0.045电子伏特。能级越浅,电离温度越低,-100℃时磷掺杂硅仍保持良好导电性。施主能级还影响半导体器件工作温度范围,深能级杂质如金在硅中形成复合中心,降低载流子寿命。现代集成电路工艺中,精确控制施主能级位置和浓度,对制造高速晶体管至关重要。
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