半导体掺杂浓度大概是多少

半导体掺杂浓度一般在10^15到10^18个原子每立方厘米之间。硅晶圆的掺杂浓度取决于具体应用，低掺杂区域约10^15个原子/cm³，中等掺杂区域约10^17个原子/cm³，高掺杂区域可达10^18个原子/cm³。制造工艺中，离子注入剂量控制着掺杂浓度，从10^12个离子/cm²到10^16个离子/cm²不等。

实际器件中，MOSFET的源漏区掺杂浓度通常在10^19个原子/cm³以上，形成欧姆接触。PN结的轻掺杂一侧浓度约10^16个原子/cm³，重掺杂一侧约10^19个原子/cm³。集成电路中的电阻元件通过精确控制掺杂浓度实现，阻值范围从几欧姆到几兆欧姆不等。激光退火技术可将表面掺杂浓度提升至10^20个原子/cm³以上。