载流子浓度受哪些因素影响最大

载流子浓度主要受温度影响最为显著。半导体材料随温度升高，本征激发增强，电子-空穴对数量增加。掺杂浓度同样决定载流子数量，n型半导体中施主杂质提供电子，p型中受主杂质提供空穴。材料纯度直接影响可掺杂杂质数量，高纯度材料才能实现精确控制。光照条件也会改变载流子浓度，光子能量大于带隙时产生额外电子-空穴对。

材料能带结构对载流子浓度有根本性影响。直接带隙半导体如GaAs比间接带隙材料Si具有更高的光生载流子效率。电场强度可调控载流子漂移速度，高场强下达到饱和速度。磁场存在时载流子受洛伦兹力作用改变运动轨迹，影响有效浓度。应力作用下能带结构变形，间接改变载流子分布。量子阱结构中维度限制使载流子浓度呈现离散化特征。