碳化硅半导体芯片的生产工艺流程是什么

碳化硅半导体芯片生产始于晶体生长，采用物理气相传输法在2000℃高温下生长单晶锭。锭体经过切割、研磨、抛光形成晶圆，厚度控制在350微米。晶圆清洗后，通过化学气相沉积生长外延层，厚度精确到10微米。光刻工艺使用紫外光曝光，形成电路图案，蚀刻过程去除不需要区域，留下精确的沟槽和结构。

芯片制造涉及离子注入掺杂，硼或氮原子注入形成P型和N型区域。退火处理激活掺杂原子，温度达1700℃。金属化层溅射镍和铝作为电极，厚度控制在500纳米。晶圆测试后，激光切割分离单个芯片，封装采用银烧结工艺，工作温度可达200℃。最终产品通过严格电气测试，确保耐压能力达到1200伏特，开关损耗降低70%。