时间:09-16人气:13作者:烽烟九州
芯片纳米制程指芯片上晶体管之间的最小距离,单位为纳米。7纳米制程意味着晶体管间距为7纳米,台积电5纳米工艺晶体管密度达到每平方毫米1.73亿个。英特尔10纳米工艺晶体管栅极宽度仅7纳米。三星3纳米工艺采用GAA晶体管结构,比传统FinFET结构更小。更小的制程意味着相同面积可容纳更多晶体管,提升芯片性能和能效。台积电4纳米工艺比7纳米性能提升15%,能效降低30%。
纳米制程也决定芯片功耗和散热表现。台积电2纳米工艺采用全新材料,晶体管密度提升20%。苹果A15芯片采用5纳米工艺,晶体管数量达150亿个。英特尔7纳米工艺比10纳米性能提升20%。AMD Ryzen 5000系列采用7纳米工艺,能效比提升40%。更先进制程让手机芯片性能提升同时发热减少,延长电池续航时间。
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