中国光刻机能做到多少纳米加工

中国光刻机目前能达到的最先进工艺是90纳米制程。上海微电子装备有限公司生产的SSA800/10W光刻机已实现这一技术突破，该设备采用365nm波长光源，可用于制造中低端芯片。华为海思的麒麟系列早期芯片就采用了90纳米工艺。中科院微电子研究所也在研发更先进的光刻技术，预计未来几年内可能实现65纳米工艺的突破。这一技术水平虽然与国际顶尖的7纳米、5纳米还有差距，但已能满足国内部分芯片制造需求。

光刻机的纳米精度取决于光源波长和数值孔径。深紫外光(DUV)光刻机使用193nm光源，通过多重曝光技术可达到7纳米工艺。中芯国际的N+2工艺就采用了这种技术路线。极紫外光(EUV)光刻机使用13.5nm光源，可直接实现7纳米以下工艺，但中国尚未掌握这一技术。长江存储的128层NAND闪存芯片采用了64纳米工艺，合肥长鑫的DRAM芯片使用19纳米工艺，这些都需要依赖进口光刻设备完成。