时间:09-18人气:29作者:雪舞倾城
闪存属于非易失性存储技术类型,采用浮栅晶体管结构保存数据。这种技术不需要电力维持记忆,断电后数据不会丢失。U盘、SD卡、固态硬盘都是闪存技术的应用产品。闪存单元通过电子 trapped 在绝缘层中存储信息,写入时电子被注入浮栅,擦除时电子被移除。现代闪存有NAND和NOR两种主要架构,NAND闪存密度更高,成本更低,适合大容量存储需求。
闪存还属于半导体存储技术类别,使用硅基材料制造。制造过程包括光刻、蚀刻、离子注入等步骤,在晶圆上形成数十亿个晶体管。闪存控制器管理数据读写、磨损均衡和错误校正。消费电子产品如智能手机、平板电脑广泛采用eMMC和UFS等闪存标准。企业级应用使用高性能SSD,读写速度可达每秒数千兆字节,远超传统机械硬盘。闪存技术持续发展,3D NAND技术通过垂直堆叠存储单元提高容量密度。
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