二极管多大电压会被反向击穿

普通硅二极管的反向击穿电压一般在50到1000伏特之间。具体数值取决于二极管的类型和设计，1N4007系列约为1000伏，1N4148约为75伏，肖特基二极管通常较低，约30到200伏。功率二极管如1N5408可耐1000伏，而高压应用中的二极管可达几千伏特。特殊设计的二极管如齐纳二极管，击穿电压精确控制，从2.4伏到200伏不等，广泛用于电压调节电路。

反向击穿电压受温度影响显著，每升高10摄氏度，击穿电压下降约2到5伏特。制造工艺也会影响这一参数，扩散深度、掺杂浓度和结面积都是关键因素。高频二极管如1N914击穿电压约75伏，而高压整流二极管如UF4007可达1000伏。实际应用中，电路设计必须留有安全余量，一般选择额定电压为工作电压2倍以上的二极管，确保稳定性和可靠性。