哪些因素影响禁带宽度

禁带宽度受材料原子结构和化学键合性质影响。硅的禁带宽度约1.1电子伏特，砷化镓约1.4电子伏特，金刚石高达5.5电子伏特。原子间距减小会导致能带展宽，禁带增大。材料中掺杂元素会改变能带结构，磷掺杂硅会使禁带宽度略微减小。温度升高时，晶格振动加剧，禁带宽度一般会减小，每升高100摄氏度，硅的禁带宽度减小约0.0003电子伏特。

材料纯度和晶体缺陷对禁带宽度有显著影响。高纯度单晶硅的禁带宽度比多晶硅更稳定。晶体中的空位和位错会在禁带中引入能级，降低有效禁带宽度。应力作用下，禁带宽度会发生改变，压应力使禁带增大，拉应力使禁带减小。量子阱结构中，禁带宽度随材料层厚度变化，厚度每减小1纳米，禁带宽度增加约0.1电子伏特。