时间:09-15人气:20作者:弥桑花
砷化镓确实是半导体材料,广泛应用于电子和光电子领域。这种材料具有直接带隙特性,电子迁移率比硅高5倍以上,适合制造高频器件。砷化镓太阳能电池效率可达29%,远超普通硅电池。手机基站、卫星通信系统中的高频放大器,LED照明设备中的发光芯片,都采用砷化镓作为核心材料。军事雷达系统中的微波集成电路也依赖这种材料的高性能特性。
砷化镓的晶体结构属于闪锌矿型,原子排列规则有序。材料纯度要求极高,99.9999%以上的纯度才能满足器件制造需求。砷化镓晶圆生长采用液封直拉法,工艺温度控制在1238℃左右。这种材料的热导率仅为硅的一半,但抗辐射能力却是硅的100倍以上。太空探测器的太阳能电池板、高亮度激光器、光纤通信系统中的光探测器,都利用了砷化镓独特的半导体性能。
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