时间:09-15人气:20作者:风云之王
90纳米光刻机理论上可以制造出45纳米的芯片。光刻机分辨率约为特征尺寸的一半,所以90纳米设备能够处理的最小线宽约为45纳米。实际生产中,工程师会采用多重曝光技术,让90纳米设备制造出22纳米甚至14纳米的芯片。台积电和三星都使用过这种方法,在90纳米设备上成功生产出更小尺寸的芯片。这种技术通过多次曝光和叠加,突破了设备原生分辨率的限制。
90纳米光刻机还能制造出10纳米以下的芯片,借助自对准多重图案化技术。这种技术将一道光刻工序拆分成多个步骤,有效缩小了特征尺寸。英特尔曾用90纳米设备生产出7纳米芯片,通过复杂的图形分割技术。实际应用中,90纳米设备配合先进的工艺控制,可以制造出5纳米级别的芯片。这种创新方法延长了老设备的使用寿命,降低了生产成本。
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