时间:09-18人气:25作者:撕书狂魔
本征载流子是指半导体材料中由热激发产生的自由电子和空对。在绝对零度时,半导体没有载流子,温度升高后,价带电子获得足够能量跃迁到导带,形成电子-空对。硅在室温下每立方厘米约有10^10个本征载流子,锗约为10^13个。这些载流子数量取决于材料禁带宽度和温度,纯度越高,本征特性越明显。
本征载流子浓度直接影响半导体导电能力。高温环境下,本征载流子数量增加,使材料电阻率下降。二极管、晶体管等器件在高温下可能出现本征导电,导致性能变化。砷化镓等化合物半导体的本征载流子迁移率比硅高5-10倍,适合高频应用。理解本征载流子对半导体器件设计和制造至关重要。
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