时间:09-17人气:23作者:白头偕老
内存芯片主要由硅材料制成,这种半导体材料经过特殊处理形成晶体管结构。硅基板上沉积多层金属导线,包括铜和铝,用于传输电信号。现代内存使用氮化硅作为绝缘层,防止电流泄漏。制造过程中需要高纯度硅,纯度达到99.999999999%(11个9),确保电子流动不受杂质干扰。内存颗粒封装使用环氧树脂和陶瓷基板,提供物理保护和散热功能。
内存材料还包括多种化学元素组成的介电质,如氧化铪(HfO2),用于晶体管栅极极薄绝缘层。金属电极采用钛、钽和氮化钛等材料,形成欧姆接触。多层电路之间的隔离依赖二氧化硅(SiO2)层,厚度仅为几纳米。DRAM内存需要电容材料,通常使用铂电极和铌酸锶钡(BST)铁电材料。这些精密材料组合使内存能够在极小空间内存储大量数据,运行速度快且能耗低。
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