什么是碳化硅外延设备

碳化硅外延设备是专门用于在碳化硅衬底上生长高质量外延层的精密仪器。这类设备包含反应室、气体输送系统和温控装置，能在高温下通入硅源和碳源气体，通过化学反应形成均匀的晶体层。现代设备采用射频加热技术，温度控制精度可达±1℃，确保外延层厚度误差小于5纳米。先进设备还配备原位监测系统，可实时调整工艺参数，提高外延片良率至90%以上。

碳化硅外延设备广泛应用于功率半导体制造领域，特别适合生产新能源汽车逆变器、5G基站射频器件和高效率太阳能逆变器。设备制造商如LPE、Aixtron和CVD提供不同产能型号，单批次可处理25至75片晶圆。最新一代设备采用闭环控制系统，能精确控制掺杂浓度均匀性，使器件漏电流降低30倍。这些设备帮助制造商生产出耐压1700伏以上的碳化硅功率器件，满足严苛的工业应用需求。