半导体热激发是本征激发吗

半导体热激发与本征激发本质相同，都是半导体材料在热能作用下价带电子跃迁至导带的过程。室温下硅晶格振动提供能量，电子挣脱原子束缚形成自由电子和空穴对。这一过程无需掺杂元素参与，纯硅在300K时每立方厘米产生约10^10个载流子，导电能力随温度升高而增强。

热激发产生电子-空穴对的速率取决于材料禁带宽度和温度。锗的禁带宽度0.67eV，硅为1.12eV，砷化镓达1.43eV。相同温度下，锗中载流子浓度是硅的100倍以上。高温下半导体器件性能下降正是热激发加剧导致的本征导电性增强，掺杂半导体的电中性条件被破坏。