时间:09-15人气:18作者:南葵思暖
光电流大小主要由入射光强度和光电材料特性决定。公式I=η×P×q/hν中,I代表光电流,η是量子效率,P是入射光功率,q是电子电荷,h是普朗克常数,ν是光的频率。实验表明,当光强度增加10倍时,光电流也相应增加10倍。硅光电二极管在650nm红光照射下,每毫瓦光功率可产生约0.5微安电流。光电流还与材料禁带宽度和温度有关,温度每升高10度,光电流约增加2-3微安。
光电流大小还受光电转换器件结构和工作条件影响。公式I=R×P中,R是响应度,单位为A/W。PIN型光电二极管响应度可达0.6A/W,而雪崩光电二极管在90伏偏压下响应度可提高20倍。光电流与负载电阻RL关系为I=V/RL,V是输出电压。实际测量中,光电流随入射角度增大而减小,当角度偏离法线30度时,光电流下降约15%。光电流还与滤波片透过率有关,带通滤波片可使特定波长光电流增强3-5倍。
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