温度对二极管击穿电压的影响

温度升高会导致二极管击穿电压降低。硅二极管的击穿电压温度系数约为-2mV/°C，这意味着环境温度每上升10℃，击穿电压下降约20mV。在实际电路中，高温环境下工作的二极管更容易发生雪崩击穿。汽车电子系统中的二极管在发动机舱内温度可达125℃，击穿电压比室温时低15-25%。这种特性使得二极管在高温应用中需要额外的散热设计，避免过早失效。

二极管击穿电压与温度的关系还体现在不同材料上。锗二极管的温度系数约为-7mV/°C，是硅器件的3倍多。LED作为特殊二极管，其击穿电压随温度升高而下降的幅度更大，温度每升高25℃，击穿电压下降约100mV。高功率激光二极管在工作时自身发热，导致击穿电压持续下降，形成恶性循环。这种温度敏感性使得精密电子设备中的二极管必须配备温度补偿电路，确保在各种工作环境下性能稳定。