光刻机28纳米到7纳米有多难

光刻机从28纳米到7纳米的跨越堪称工程奇迹。ASML的EUV系统包含超过10万个零件，精度要求达到皮米级别。光源功率从13.5纳米波长的80瓦提升到250瓦，反射镜表面粗糙度必须控制在0.1纳米以下。一台EUV设备重达180吨，需要300个集装箱运输，安装调试耗时6个月。光刻胶配方需要重新研发，晶圆厂洁净室等级必须从ISO 5级提升到ISO 3级，颗粒数量控制标准提高10倍。

生产成本呈现指数级增长。28纳米节点研发投入约20亿美元，7纳米则飙升至100亿美元以上。设备价格从4000万欧元跃升至1.5亿欧元。晶圆厂建设成本从20亿美元增至70亿美元，单次光刻良率从95%下降到80%以下。工艺控制点数量从2000个增加到5000个，测量工具数量增加3倍。能源消耗提高2.5倍，维护团队规模扩大4倍，技术专利数量增加超过10000项。